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然而 ,在体硅上制造的 mosfet的硅片厚度约 50 0 μm但只有硅片顶层 (约 1 μm )用于制作器件 ,器件和衬底之间的相互作用引起了一系列寄生效应 ,即结与衬底本体之间的电容 ,以及结与场氧化层下面的沟道隔离注入层之间的电容。
源自: SOI技术——21世纪的硅集成技术  《微电子学》2001年01期
制造体硅 mosfet的硅片厚度约为 500 um,但只有约 in m的硅片顶层用于制作器件,这样器件和衬底之间的相互作用引起了一系列寄生效应,包括源、漏扩散区与衬底之问的寄生电容和闩锁效应。
源自: 新型氮氧复合埋层SOI及其抗总剂量辐照研究  《中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)硕士学位论文》2002
双栅 mosfet载流子迁移率约为普通体硅 mosfet的 3倍 ,因此双栅 mosfet的延时更短 ,具有较好的频率特性 ,能够应用于高频甚至超高频电路。
源自: 双栅MOSFET的研究与发展  《微电子学》2000年05期
制造体硅mosfet 的硅片厚度约为 500μm但只有硅片顶层约 1μm用于制作器件,器件和衬底之间的相互作用引起了一系列寄生效应,其中之一是源、漏扩散区与衬底之间的寄生电容,这个电容随衬底掺杂浓度的增加而增加。
源自: SOI新结构制备及SOI基悬浮式薄膜谐振器的研制  《四川大学硕士学位论文》2005
如制造体硅mosfet的硅片厚度约500μm但只有顶层的1μm于制作器件,器件和衬底之间的相互作用引发了一系列寄生效应。
源自: 硅外延发展趋势  《材料科学与工程》1995年03期
模拟表明,当硅膜厚度为3nm,薄膜双栅mosfet体硅单沟道mosfet源漏电流ids相等。
源自: 薄膜双栅MOSFET体反型现象的研究  《微电子学》2005年03期
体硅mosfet的输出电导先随温度的增加而改善,超过150℃后。
源自: 硅中H~+,He~+离子注入引起的物理效应与SO...  《中国科学院上海冶金研究所博士学位论文》2001
对厚膜器件时小得多,从而有效地防止了空穴 干体硅mosfet,当le,,在0。
源自: 薄膜SOI器件研究与展望  《微电子学》1992年03期
soimosfet陡峭的亚阈值电压,还可以提高25%~40%的电压增益,这意味着在比体硅mosfet更低的电流下或更小的器件中都能获得soi器件的恒定直流电流增益。
源自: 模拟IC的新篇章:第42届ISSCC述评  《微电子学》1995年03期
soi功率mosfet击穿电压大于400~800v比同等技术水平的体硅提高了数倍。
源自: 军用微电子技术发展战略思考  《微电子学》2004年01期
 
 
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