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1955年,发明结型场效应晶体管;1956年,硅台面晶体管;1958年,微波晶体管;1959年,硅平面晶体管;1960年,硅外延平面晶体管、mos晶体管和肖特基势垒晶体管
源自: 微电子技术纵横谈——纪念晶体管诞生50周年  《半导体技术》1997年06期
半导体晶体管是美国巴丁、肖克拉、布拉坦三人于1947年发明的,日本索尼公司深井大1952年从美国引进半导体晶体管生产制造技术,并改进提高了晶体管的功率,原来品体管功率小,美国只用于助听器,索尼公司改进后提高了功率,把它应用到收音机,并配合其它器件的小型化,制造出半导体晶体管收音机,后来又制成晶体管电视机,使半导体晶体管得到广泛的应用,发展成为庞大的电子产业。
源自: 对外经济开放应以引进技术为主  《亚太经济》1992年03期
集成电路是把许多个晶体管集合组成于一块硅片上 ,1960年世界上第一块集成电路在一块芯片上只能集成四个晶体管元器件 ,只能做出一门电路 ,到 1962年达到了 12 5个晶体管 ,1967年达到 10 0 0个晶体管 ,1970年达到 15 0 0个晶体管 ,1976年达到一万多个晶体管
源自: 计算机技术21世纪主流生产方式与新经济形式的本质...  《改革与战略》2000年04期
晶体管的诞生标志一个新时代的开始,引起全球科学界的极大兴趣,从而对材料制备和工艺技术方面进行深入细致的研究,发展速度日新月异,例如,1947年的点接触晶体管,1951年的结型晶体管,1953年的表面势垒晶体管,1955年的扩散基区晶体管,1959年的平面晶体管
源自: 半导体技术的回顾与展望  《西安理工大学学报》2000年04期
由于使用了氧化物绝缘层 当贫基底晶体管处于待命或关的状态时 有害的电流泄漏被减少到最低的程度 贫基底晶体管的电流泄漏比常规的硅绝缘体晶体管少100倍.取代二氧化硅的新材料 晶体管里有一个“栅绝缘层”它被用于将晶体管的栅(ga以与其他活跃部件分开、如下图所示.在近几年研制的晶体管中 用二氧化硅制成的栅绝缘层最薄的只有08纳米域大约三个原子层的厚度)。
源自: Intel和AMD的新CPU设计制造技术 厉兵...  《新电脑》2002年01期
自从1948年发明晶体管以来,随着基本研究和工艺技术的发展,先后出现了多种结构的晶体管,如:合金晶体管,合金扩散晶体管,台面型晶体管和平面晶体管等等。
源自: 扩镓基区晶体管负阻效应的研究  《山东师范大学硕士学位论文》2003
双极功率晶体管7月份,双极功率晶体管的价格上涨了0.8%,亚洲的分销商认为,由于需求下降,双极功率晶体管的价格将走低,但双极功率晶体管的价格更可能上涨,这是因为,原料的价格上涨也会引起双极功率晶体管的价格上涨,而对于接近生命未期的商品更是如此,虽然双极功率晶体管并没有接近生命未期一只是需求下降。
源自: 夏季电子市场温度不减  《世界电子元器件》2006年09期
例如中科院计算所的109乙机(晶体管)、华北计算所的108乙、320机(晶体管),哈军工的441b机(晶体管),清华大学和北无三厂的112机(晶体管),738厂、830厂的121机(晶体管),华东计算所和上无十三厂的x-2机(晶体管),北京大学和738厂的150机(集成电路),华东计算所的655机(集成电路)等,这些二代计算机的科研成果,四机部(即后来的电子部)采取广为包容的做法,绝大部分都安排了工厂接产。
源自: 事业灿烂辉煌 仍须快马加鞭  《中国电子报》2007/04/19
运用多种应变硅晶体管技术,可以增加单位面积的晶体管数,同时提高晶体管性能;与未采用应变硅晶体管技术时相比,p沟道晶体管的导通电流约增大80%,n沟道晶体管的导通电流约增大24%。
源自: 芯片工艺向32nm前进  《中国计算机报》2007/06/04
黑龙江省, 大功率开关晶体管军标生产线主要产品有:3dk系列npn型大功率开关晶体管、3ck系列pnp型大功率开关晶体管、3dd系列npn型低频大功率晶体管和3cd系列pnp型低频大功率晶体管
源自: 黑龙江省信息产业在提供服务中前进  《中国电子报》2002-12-27
 
 
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